Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

0

Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Помогаем

Поможем собрать 60 тыс. грн на медикаменты для батальона «Свобода», который воюет на востоке

Поможем собрать 60 тыс. грн на медикаменты для батальона «Свобода», который воюет на востоке

Отметим, архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Samsung начинает производство чипов на базе 3-нм техпроцесса с архитектурой Gate-All-Around

Как заявляют в Samsung, технология MBCFET преодолевает ограничения производительности FinFET, повышая эффективность энергопотребления за счёт снижения уровня напряжения питания, а также повышая производительность за счет увеличения допустимого тока привода. В запатентованной технологии Samsung используются нанолисты с более широкими каналами, что обеспечивает более высокую производительность и большую энергоэффективность по сравнению с технологиями GAA, использующими нанопроводки с более узкими каналами. Используя 3-нм технологию GAA, Samsung сможет регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать энергопотребление и производительность для удовлетворения различных потребностей клиентов.

Новая технология будет использоваться для производства полупроводниковых чипов для высокопроизводительных вычислительных приложений с низким энергопотреблением и также планирует расширить её на мобильные процессоры.

Отмечается, что оптимизированный 3-нм техпроцесс обеспечивает снижение энергопотребления на 45%, повышение производительности на 23%, а также меньшую площадь поверхности кристалла на 16% по сравнению с 5-нм техпроцессом.

Дополнительно Samsung сообщает о предоставлении 3-нм проектной инфраструктуры и услуг с партнерами SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), включая Ansys, Cadence, Siemens и Synopsys. Это должно помочь клиентам усовершенствовать свой продукт в кратчайшие сроки.

Источник: videocardz